面向射频、毫米波前端芯片研发，招聘集成电路设计博士后，开展硅基 CMOS、GaN 工艺下射频前端芯片研发，聚焦 PA 功率放大器、LNA 低噪声放大器、射频 Switch 开关等核心电路设计，参与电路仿真、版图、流片、测试与迭代优化。招聘将坚持“公开、公平、竞争、择优”的原则，凡符合招聘岗位要求且有意向者，请将相关申请材料打包发送至邮箱kitesemiconductor@163.com，邮件主题栏请注明“应聘岗位--姓名--博士后招聘网”。

一．岗位要求

1. 微电子、集成电路、微波射频等方向博士，已取得博士学位或即将博士毕业；

2. 在射频 / 毫米波集成电路、GaN 或硅基射频芯片方向有扎实研究基础，有相关流片成果、高水平论文 / 专利优先；

3. 具备独立科研能力，能够自主开展前沿电路架构研究，产出学术成果；

4. 可全职进站，热爱芯片研发，具备良好团队协作。

二．薪酬福利

- 年薪：24–30W

- 基础保障：学校按规定缴纳社会保险与公积金；

- 安居支持：可申请租住学校教师公寓；

- 人才配套：协助办理子女入学，符合条件者可按照相关规定申请浙江省人才政策支持；

- 科研条件：配套先进测试平台、流片经费支持，鼓励成果转化、专利申报。

原文出处：

https://ehr.zju.edu.cn/vuejs/recruitment/position-detail.htm?id=N1879106246807650519

来源：浙江大学